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第二章PN结作业中国计量大学半导体器件.docVIP

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  • 2023-10-15 发布于北京
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第二章PN结作业中国计量大学半导体器件.doc

    PN结作业 假设在PN结的两侧有相同和均匀的掺杂，，计算单位面积的非补偿施主离子的数量。 一个理想的硅突变PN结，掺杂浓度分别为，，T=300K，，求（1）该PN结的自建电势；（2）耗尽区宽度W；（3）最大电场强度。 微波集成电路中，一个反偏PN结可用作变容器，假设P型区浓度是，区浓度是，设计一个变容器（即决定所需的结面积），以达到最大电容。

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