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本发明公开了一种半导体器件结构及制备方法，半导体器件结构包括衬底、字线沟槽、埋入式栅极字线、覆盖介质层、第一互连孔及互连结构；衬底包括第一区域、与第一区域相邻接的第二区域以及外围电路区域；字线沟槽位于衬底内，字线沟槽贯穿第一区域及第二区域；埋入式栅极字线位于字线沟槽中；其中，埋入式栅极字线包括第一导电层和第二导电层，位于第二区域的第一导电层的厚度大于位于第一区域的第一导电层的厚度；覆盖介质层，位于第二区域和外围电路区域的衬底上；第一互连孔位于第二区域的覆盖层中；互连结构位于第一互连孔内，且与第二
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116867268 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310815388.X
(22)申请日 2021.07.08
(62)分案原申请数据
202110774378.7
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