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本发明涉及电池制造技术领域，公开了CVD装置及电池制造设备。CVD装置包括：机架；下腔体，设置于机架，下腔体具有第一顶部开口；上腔体，可开闭地设置在第一顶部开口处，上腔体具有第二顶部开口；腔盖，可开闭地设置在第二顶部开口处；其中，下腔体与上腔体围成密封的下工作腔，上腔体与腔盖围成密封的上工作腔，下工作腔和上工作腔可分别独立工作。本发明的上腔体设置于下腔体的第一顶部开口处，使得上工作腔和下工作腔上下设置，充分利用竖向空间，有效地增加单位面积产能，并且，上工作腔和下工作腔可以分别独立工作，上工作腔和
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116855919 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310879578.8
(22)申请日 2023.07.17
(71)申请人 三一硅能 （株洲
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