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本发明公开了一种自供电光电探测器的制备方法、自供电光电探测器及应用，所述制备方法包括，将带有Ga2O3薄膜衬底的Ga2O3薄膜表面的部分区域旋涂铋铁前驱液，随后热处理，在部分区域形成BiFeO3薄膜，BiFeO3薄膜和Ga2O3薄膜构成异质结；在剩余区域的Ga2O3薄膜表面和部分区域的BiFeO3薄膜表面制备点电极得到自供电光电探测器；其中，所述旋涂为先以低转速旋涂随后高转速旋涂，且低转速旋涂时间低于高转速旋涂。本发明无需使用大型薄膜生长设备制备BiFeO3薄膜，具有制备过程简单易操作和制备速度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116864567 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310755897.8
(22)申请日 2023.06.25
(71)申请人 武汉大学
地址 4
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