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本发明涉及一种新型钝化层开孔方法，属于半导体制造技术领域，包括：将完成钝化层制作的晶片放入激光划片机；根据开孔大小及钝化层厚度，优化激光功率、脉冲频率、激光焦点和切割速度；根据步骤(2)优化的参数对开孔区域进行激光开孔作业，激光开孔时未烧蚀钝化层的整个厚度，在钝化层底部留有一保留层；将激光开孔后的晶片进行酸性溶液清洗或干法刻蚀处理，对表面附着物、生成物和保留层进行去除，即完成钝化层的开孔。本发明可以不影响其下部结构的性质，且方法简单、环保，开孔效率较高。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116851940 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202210311447.5
(22)申请日 2022.03.28
(71)申请人 山东浪潮华光光电子股份有限公司
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