一种超薄钽酸锂晶片背面粗糙化加工方法.pdfVIP

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2023-10-11 发布于四川
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一种超薄钽酸锂晶片背面粗糙化加工方法.pdf

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本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种超薄钽酸锂晶片背面粗糙化加工方法，包括以下步骤：a）将钽酸锂晶片正面进行贴膜保护；b）加热喷砂磨料，对喷砂磨料进行烘烤；c）开启喷砂平台旋转，调整喷砂枪口与钽酸锂晶片间距离，调整喷砂压力至0.2‑0.3Mpa，对晶片背面进行第一次粗糙化加工，d）完成第一次粗糙化加工后，清除晶片表面附着的喷砂颗粒残留，重新调整喷砂压力至0.1‑0.15Mpa，对晶片背面进行第二次粗糙化加工；e）第二次粗糙化加工完成后，置于氢氟酸和硝酸混合溶液槽中浸泡，再置于温水槽中进行超声清

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116852267 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202311014792.3 (22)申请日 2023.08.14 (71)申请人天通控股股份有限公司地址 31