一种提高磁体矫顽力的晶界扩散方法及应用.pdfVIP

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2023-10-11 发布于四川
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一种提高磁体矫顽力的晶界扩散方法及应用.pdf

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本发明公开了一种提高磁体矫顽力的晶界扩散方法及应用。所述晶界扩散方法包括：将温度为160‑200℃的磁体置于晶界扩散剂中超声浸渗，之后进行加压浸渗、常温浸渗处理，获得浸渗磁体；以及，将所述浸渗磁体进行固化处理，之后与低熔点单质在真空条件下进行烧结处理，制得高矫顽力磁体。本发明提供的晶界扩散方法可提高高温下液态金属的润湿性，降低晶界扩散温度，提高晶界扩散效率，增加晶界厚度提高磁体矫顽力，并能够增加磁体的强度、可煅性和抗张强度；同时该晶界扩散方法简单，成本低廉，有广泛的应用前景。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116864290 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202310924873.0 (22)申请日 2023.07.25 (71)申请人宁波松科磁材有限公司地址 31