一种单片式半导体晶圆刻蚀装置.pdfVIP

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2023-10-11 发布于四川
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一种单片式半导体晶圆刻蚀装置.pdf

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本申请公开了一种单片式半导体晶圆刻蚀装置，包括腔室、上电极板、下电极板、位于上电极和下电极之间的静电载盘、用于向腔室内供气的供气单元以及用于抽真空的抽真空单元；腔室内还安装有包围静电载盘的环形基台，环形基台通过多个第一L形支架连接有圆环形载台，圆环形载台处承载有圆环形的装载板，装载板处具有多个圆形凹槽，每个圆形凹槽处固定安装有一个检测晶圆。本申请的刻蚀装置，在刻蚀的过程中，利用显微镜单元对检测晶圆进行图像采集，检测晶圆与待刻蚀的半导体晶圆处于相同的工作环境，从而可以通过检测晶圆的刻蚀效果推断出正

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116864416 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202310868494.4 (22)申请日 2023.07.14 (71)申请人扬州韩思半导体科技有限公司地址