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本公开实施例提供了一种硅通孔阵列结构及半导体存储器,该硅通孔阵列结构包括多个第一电源阵列、多个第二电源阵列和多个信号阵列;其中,多个第一电源阵列、多个信号阵列和多个第二电源阵列均沿第一方向延伸;多个信号阵列和多个第一电源阵列沿第二方向间隔排列;每个信号阵列包括沿第二方向排列的第一信号子阵列和第二信号子阵列,且第一信号子阵列和第二信号子阵列之间设置一个第二电源阵列;其中,第一方向和第二方向垂直。这样,电源传输和信号传输的区域交错设置,能够有效降低电源传输及信号传输中的信号干扰现象,改善信号传输质量
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116864469 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202210306134.0
(22)申请日 2022.03.25
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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