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本发明公开了一种宽禁带半导体集成碳基材料的电力电子芯片及制备方法，涉及半导体电子器件技术领域，电力电子芯片包括基底、Si3N4层、石墨烯层、合金区、外延区、S/D电极区和G电极；Si3N4层和外延区位于基底上方，且分别与基底连接；合金区嵌入外延层，Si3N4层位于外延区的两侧，且与外延区连接；石墨烯层位于合金区和Si3N4层上方，且与合金区和Si3N4层连接；S/D电极区位于石墨烯层上方，且与石墨烯层连接；G电极位于外延区上方，且与外延区连接。通过生长石墨烯作为导电通道代替传统的异质界面2DEG
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116864532 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202311002739.1 H01L 29/47 (2006.01)
(22)申请日 20
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