第三章光电检测器件演示文稿.pptVIP

光电池的特性 1、伏安特性 无光照时，光电池伏安特性曲线与普通半导体二极管相同。 有光照时，沿电流轴方向平移，平移幅度与光照度成正比。 曲线与电压轴交点称为开路电压VOC，与电流轴交点称为短路电流ISC。 本文档共93页；当前第59页；编辑于星期二\18点50分 光电池伏安特性曲线 本文档共93页；当前第60页；编辑于星期二\18点50分 反向电流随光照度的增加而上升 I U 照度增加 本文档共93页；当前第61页；编辑于星期二\18点50分 2、时间和频率响应 硅光电池频率特性好 硒光电池频率特性差 硅光电池是目前使用最广泛的光电池 本文档共93页；当前第62页；编辑于星期二\18点50分 要得到短的响应时间，必须选用小的负载电阻RL； 光电池面积越大则响应时间越大，因为光电池面积越大则结电容Cj越大，在给定负载时，时间常数就越大，故要求短的响应时间，必须选用小面积光电池。 本文档共93页；当前第63页；编辑于星期二\18点50分 开路电压下降大约2?3mV/度 短路电流上升大约10-5?10-3mA/度 3、温度特性 随着温度的上升，硅光电池的光谱响应向长波方向移动，开路电压下降，短路电流上升。光电池做探测器件时，测量仪器应考虑温度