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本发明提供一种半导体器件及其制备方法、半导体晶圆。半导体器件具有第一器件区域和第二器件区域，包括第一、二结构层及第一、二组电极结构。第一结构层的材料为金刚石，第一结构层中位于第一器件区域和第二器件区域的两部分电性隔离；位于第二器件区域的第一结构层经过氢终端处理；第二结构层设于第一结构层的第一器件区域上，与第一结构层形成异质结结构；第二结构层的材料为AlN；第一组电极结构包括第一源极、第一栅极及第一漏极，设于第一器件区域并至少部分位于第二结构层背离第一结构层的一侧；第二组电极结构包括第二源极、第二
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116884976 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310902084.7
(22)申请日 2023.07.20
(71)申请人 深圳市汇芯通信技术有限公司
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