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本发明提供了一种MicroLED制备方法及MicroLED，所述方法包括：提供衬底，在衬底上依次沉积外延层、透明导电层、金属电极层、无机保护层与刻蚀光刻胶层，使用干法刻蚀并通入预设流量比例的CF4与O2对刻蚀光刻胶层进行刻蚀并刻蚀到预设位置，将刻蚀光刻胶层全部刻蚀去除以及无机保护层部分刻蚀去除，并在部分刻蚀完成后的无机保护层表面沉积金属焊盘层，以得到MicroLED，本发明可精确控制刻蚀完成后无机保护层的剩余厚度，同时使用无机保护层作为芯片前道制程中高低起伏的填充，结合刻蚀工艺平坦化表面，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116885058 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310905128.1
(22)申请日 2023.07.24
(71)申请人 江西兆驰半导体有
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