发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdfVIP

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2023-10-14 发布于四川
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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次生长形核层、本征半导体层、N型层、发光层、电子阻挡层及P型层；所述N型层包括沿外延方向依次设置的第一未掺杂Ga2O3层、共掺杂层及第二未掺杂Ga2O3层，所述共掺杂层为高掺杂Si、低掺杂B的GaN材料层，外延片的工作电压分布均匀，抗静电能力佳。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116885066 A (43)申请公布日 2023.10.13 (21)申请号 202311127055.4 (22)申请日 2023.09.04 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址 3