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本公开实施例提供了一种半导体结构、半导体器件及半导体结构的制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底；位于衬底上的柱状结构，柱状结构沿垂直于衬底平面的方向延伸。第一介质层，第一介质层环绕柱状结构的侧壁，半导体层，半导体层包括从下至上的第一极、沟道区和第二极，半导体层覆盖第一介质层的侧壁。第一导电线，第一导电线环绕沟道区的侧壁且沿第一方向延伸，其中，第一方向平行于衬底的平面。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116885005 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310864004.3
(22)申请日 2023.07.13
(71)申请人 长鑫科技集团股份有限公司
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