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本发明公开了一种圆柱状硅芯的制备方法，涉及硅芯生长技术领域，包括以下步骤：装料：将多晶硅料装入石英坩埚中，并将多根籽晶装到籽晶夹头上，合炉后进行抽真空检漏；化料：将物料通过加热器全部熔化，由CCD影像系统采集分析数据，并调整加热器的功率，使液面温度维持在最佳引晶温度；缩颈：将籽晶下降至液面以下，再以一定速度快速提拉多根籽晶；放肩：将籽晶按一定速度往上提拉，并旋转籽晶，使每根籽晶的直径逐渐变大成为硅芯；等径生长：由CCD影像系统分析得出最佳拉速，将硅芯保持最佳拉速往上提拉，并将坩埚反向旋转且向上提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116876075 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310888937.6 C30B 28/10 (2006.01)
(22)申请日 2023.07.
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