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2023-10-14 发布于四川
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一种光罩共用的阵列基板制程方法及其结构.pdf

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本发明提供了一种光罩共用的阵列基板制程方法及其结构，包括如下步骤：采用第一光罩和第二光罩依次制备栅极金属层、栅极绝缘层及半导体有源层，采用第三光罩去除位于GIP驱动区内栅极金属层上方的栅极绝缘层，并在AA显示区内形成DC孔，采用第四光罩在半导体有源层上方制备一源漏金属层，采用第五光罩在钝化层上对应漏极的位置形成PV孔，采用第六光罩形成画素电极并与源漏金属层搭接，再次采用第三光罩在对应DC孔的上方和GIP驱动区内的栅极金属层上方形成两个CH孔，采用第七光罩在绝缘层上制备一公共电极层。本发明提供了一

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116880121 A (43)申请公布日 2023.10.13 (21)申请号 202310623222.8 (22)申请日 2023.05.30 (71)申请人华映科技（集团）股份有限公司地址

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