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本发明公开了一种基于单Die读重试的纠错调度方法，该方法包括以下步骤：1）主机多Plane读出错后，对闪存控制器上报的每个Plane读出错的存储单元AU进行统计，形成读出错的存储单元AU位图；其中，存储单元AU位图是同一个Die中每个Plane所在的page页上4个存储单元AU的分布图，读出错的存储单元AU位图通过将读出错的存储单元AU在存储单元AU位图进行标记形成；2）根据存储单元AU位图进行基于单Die命令调度的读重试纠错。本发明方法通过设置读出错的存储单元AU位图，可以有效缩短读重试纠错方
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116884471 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310866184.9
(22)申请日 2023.07.14
(71)申请人 湖北长江万润半导体技术有限公司
地
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