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本申请公开了一种用于改善化镀镍镀层均匀性的结构和方法，涉及半导体制造领域。其中结构包括：气体存储设备，气体存储设备中存储有工作气体；气泵，气泵的进气口连通于气体存储设备；输气管路，输气管路的端部连通于气泵的出气口，输气管路的管身上开设有若干气孔；气泵用于在镀镍工艺过程中，将气体存储设备中的工作气体泵入输气管路，气泵输出的气体经过输气管路后，通过气孔吹出并形成鼓泡；支架，安装于镍槽的槽底，输气管路的管身连接于支架；流量计，连接在气泵和输气管路的端部之间；通过在镀镍工艺过程中，通过上述结构向镍槽内通
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116875966 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310736826.3
(22)申请日 2023.06.20
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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