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本发明公开了一种光探测器件及其制备方法，包括：提供第一载片，第一载片包括第一半导体衬底；在所述第一半导体衬底上形成介质‑金属‑介质的半导体叠层结构，其中包括第一介质层和第二介质层；提供形成有光电转化层的第二载片；键合第一载片和第二载片；对第二载片进行背面减薄，去除半导体衬底、以及半导体衬底和未掺杂层之间的膜层；对光电转化层进行P型掺杂；对所述光电转化层，形成分立的阵列；对光电转化层中的P型掺杂层和未掺杂的光电转化层进行图形化；在光电转化层上形成导电插塞，本发明通过在光电转化层底部形成介质‑金属‑
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116885040 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310912816.0
(22)申请日 2023.07.24
(71)申请人 镭友芯科技 （苏
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