抗电磁干扰的MEMS压阻式压力传感器及其制备方法.pdfVIP

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2023-10-14 发布于四川
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抗电磁干扰的MEMS压阻式压力传感器及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种抗电磁干扰的MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，涉及压力传感器技术领域，包括硅衬底、硅应变膜、空腔、压敏电阻、重掺杂接触区、金属通孔、膜间通孔、金属PAD、多晶硅屏蔽层；硅衬底的表面沉积有第一二氧化硅层，空腔位于第一二氧化硅层表面中央，硅应变膜覆盖在所述空腔的上方；压敏电阻和所述重掺杂接触区设置在硅应变膜表面；金属PAD与重掺杂接触区通过金属通孔形成电连接；多晶硅屏蔽层覆盖在所述压敏电阻和空腔上方，膜间通孔位于金属PAD上。本发明通过在器件表面沉积多晶硅屏蔽层，利用膜间通孔使硅

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116878702 A (43)申请公布日 2023.10.13 (21)申请号 202311091205.0 (22)申请日 2023.08.28 (71)申请人华东师范大学