基于低熔点合金氧化掺杂的相变导热薄膜及其制备方法.pdfVIP

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2023-10-14 发布于四川
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基于低熔点合金氧化掺杂的相变导热薄膜及其制备方法.pdf

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本发明公开了基于低熔点合金氧化掺杂的相变导热薄膜及其制备方法。该相变导热薄膜由低熔点合金及原位氧化并内化的金属氧化物组成，所述低熔点合金由铟、铋和锡三种金属所形成的三元合金构成，所述金属氧化物包括氧化铟、氧化铋、氧化锡和氧化亚锡四种。本发明通过搅拌将低熔点合金与空气相界面处原位生成的金属氧化物掺杂到合金内部，利用增强的异质界面间相互作用力改善其成膜性能，并解决了相变导热薄膜相变后的熔融金属泄漏问题，同时具备远高于当前相变热界面材料的热性能，且可回收再利用，展现出良好的应用前景和商业开发价值。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116875977 A (43)申请公布日 2023.10.13 (21)申请号 202310690902.1 (22)申请日 2023.06.12 (71)申请人华南理工大学地址 510640