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半导体复习参考试题 一、填空题 h2k2E(k)2m0） 1.自由电子的能量与波数的关系式为（，孤立原子中的电子能量（大 小为m0q4En22280hn 的分立能级），晶体中的电子能量为（电子共有化运 动）所形成的（准连续） 的能带。 2.温度一定时，对于一定的晶体，体积大的能带中的能级间隔（小）， 对于同一块晶体，当原子间距变大时，禁带宽度（变小）。3.玻尔兹曼分 布适用于（非简并）半导体，对于能量为E 的一个量子态被电子占据的概 率 EEfB(E)e某p(F)e某p()kTkT00为（），费米分布适用于（简并） 半导体，对于能量为E 的 f(E)一个量子态被电子占据的概率为（（ 1EEF1e某p()k0T），当EF满足 ECEF2k0T或EFEV2k0T）时，必须考虑该分布。 4.半导体材料中的（能带结构（直接复合））、（杂质和缺陷等复合 中心（间接复合））、（样 品形状和表面状态（表面复合））等会影响非平衡载流子的寿命，寿 命值的大小反映了材料晶格的（完整性 ），是衡量材料的一个重要指标 。 5.Si 属于（间接）带隙半导体。导带极小值位于布里渊区的（100方向 ） 上由布里渊区中心点 Г到边界某点的（0.85倍）处，导带极值附近的等 能面是（长轴沿100方向的旋转椭球面），在简约布里渊区，共有（6） 个这样的等能面。6.Ge属于（间接）带隙半导体。导带极小值位于布里 渊区的（111方向）上由布里渊区边界L点处，导带极值附近的等能面 是（长轴沿111方向的旋转椭球面），在简约布里渊区，共有（4）个这 样的等能面。 7.GaA属于（直接）带隙半导体。导带极小值位于布里渊区中心点 Г 处，极值附近的等能面是（球面），在简约布里渊区，共有（1）个这样 的等能面。在布里渊区的（111方向）边界L点处，存在高于能谷值 0.29eV的次低能谷，简约布里渊区一共有（8）个这样的能谷。8.Si、Ge 和GaA能带结构的共同点：1)禁带宽度具有负温度系数2)价带顶位于布 里渊区中心，k=0处，等能面不是球面，有轻重空穴之分。 9.有效质量是（半导体内部势场）作用的概括。由于晶体内部的各向异性， 在k空间的三 112E112E112E个主轴上，有效质量可以表示为（某2、某2，一般22、 22某mhm某hk某mzhkzkyy 情况下，m某某， m某y， m某。在能带底部，z是不等的） 2E某为(正)值，即mn(0)；在能带顶部，2k2E某某为(负)值，即mn （mn，说明此处电子（不受外(0)。在E~k 关系的拐点处，）2k 电场作用， 电子从外场获得的能量，全部释放给晶格）。内层电子形成的能带（窄）， E~k2E2E某某曲线曲率（小），2 （小），所以mn （大）。外层电子能带 （宽），2 （大），所以mn （小）， kk共有化运动强，在外力作用下，可以获得更大的加速度。 h2k2EEc2A，其中Ec为导带底能10.一种晶体中导带底电子能量E与 波矢K 的关系为h2量，A是常数，则电子的有效质量：（mA） d2E(2)dknh2(kk0)2EkB11.一维晶体中电子能量 E 与波矢 K 的关系为， 其中0和B是常数，则电 子速度：（v1dE2h）。hdkB12.半导体的陷阱中心使其中心光电导灵 敏度（提高），并使其光电导衰减规律（延长衰减 时间）。13.当系统处于热平衡状态，也不对外做功的情况下，系统 （每增加一个电子）所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就 是等于系统的费米能级。费米能级标志了（电子填充能级）的水平。它主 要受（掺杂浓度）、（掺杂种类）和（温度）的影响 。在绝对零度时， EEF 的能级（没有）电子占据；而EEF 的能级（完全被 ）电子占据。 随着温度的升 高，电子占据EEF 的能级概率（增大），空穴占据 EEF 的能级概率 （增大）。二、选择题 1.施主杂质电离后向半导体导带提供 （B），受主杂质电离后向半导 体价带提供 （A），本征激发后向半导体提供 （AB）。A.空穴 B.电子 2.室温下，半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3，费米能级（B）；继续掺 入浓度为1.1某1015cm-3 的磷，费