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电子技术基础 检测题习题解析（附带答案详解） 电子技术基础-检测题习题解析（附带答案详解） 一、 填空：（每个空格 0.5 分，共 25 分）1。N 型半导体由掺入本征半导体中的极 少量五价元素组成。这种半导体中的大多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴，不可 移动的杂质离子带正电荷。P 型半导体是由掺杂了极少量三价元素的本征半导体组成。这 种半导体中的大多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子，不可移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极 管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3.当 PN 结正向偏置时，外电场方向与内电场方向相反，这有利于大多数载流子的产 生 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；pn 结反向偏置时，外电场的方向与内电场的 方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和 电流。第 1 章检测题（共 100 分，120 分钟） 4.在 PN 结形成过程中，p 型半导体中的大多数载流子从 p 区扩散到 n 区，而 n 型半 导体中的大多数载流子从 n 区扩散到 p 区。作为扩散的结果，在它们的结处建立了一个 空间电荷区，其方向是从 n 区到 p