飞兆半导体绝对大额定值除非另有说明ta25oc.pdfVIP

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2023-10-18 发布于北京
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飞兆半导体绝对大额定值除非另有说明ta25oc.pdf

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F D S October 2001 4 4 3 5 FDS4435 30V P-Channel PowerTren OSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of • –8.8 A, –30 V RDS(ON) = 20 mW @ VGS = –10 V Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management RDS(ON) = 35 mW @ VGS = –4.5 V applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V). • Low gate charge (17nC typical) Applications • Fast switching speed • Power management • High performance trench technology for extremely • Load switch low RDS(ON) • Batter