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新型阵列式发光二级管的关键工艺研究的中期报告 新型阵列式发光二级管的关键工艺研究是一项重要的工程项目，其目的是开发一种能够更好地满足高端LED照明市场需求的新型LED产品。本中期报告是该项目的重要成果之一，主要介绍了我们在前期工作的基础上，进一步探索和优化所采用的阵列式发光二级管制备工艺。 1. 阵列式发光二级管制备工艺的核心技术 制备阵列式发光二级管的核心技术是外延生长和电极制备。具体流程如下： (1) 外延生长：采用金属有机化学气相沉积法 (MOCVD) 生长 GaN 外延膜，实现 N 型和 P 型注入。 (2) 电极制备：采用金属蒸镀和光刻技术制备电极，最终得到具有高电导率和良好光学性能的阵列式发光二级管器件。 2. 深入探索加工参数的影响 为了进一步提升阵列式发光二级管的性能，我们对关键的加工参数进行了深入探索，包括工艺温度、生长时间和掺杂浓度等。通过系统的实验研究，我们发现这些参数都对器件的发光效率、电流漏电、阳极接触质量等方面产生了明显影响。 3. 优化发光二级管的性能 在深入探索加工参数的基础上，我们进一步采取了多种优化措施，包括优化电极结构、改进外延生长温度分布等。经过反复试验和精细调整，我们最终实现了既满足高速电路应用要求，又能够满足高效发光要求的全新型阵列式发光二级管。 综上所述，我们通过本中期报告对新型阵列式发光二级管的关键工艺研究的进展情况进行了详细的介绍，并且展示了我们对阵列式发光二级管制备工艺进行深入探索和精细优化的结果。我们相信，在未来的研究和实际应用中，这种新型LED产品一定会发挥出其强大的市场潜力和应用前景。