多晶硅薄膜ECR-PECVD低温生长结构研究.pdfVIP

多晶硅薄膜ECR-PECVD低温生长结构研究 多晶硅(Poly-Si)薄膜以其优异的光电性能与较低的制备成本,在能源 信息产业中日益成为一种非常重要的电子材料,在大规模集成电路和半导体分立 器件中得到广泛应用。目前多晶硅薄膜的发展趋势为低成本和高光电转换效 率。为极大限度地降低成本,人们已研究了多种能在廉价玻璃衬底上低温沉积多 晶硅薄膜的方法。其中电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术(ECR- PECVD),具有等离子体密度高、电离度大、无电极、高活性等特点,是一种很有 发展潜力的低温沉积工艺。本论文采用ECR-PECVD 的方法在普通玻璃片上沉积 多晶硅薄膜,通过改变沉积温度、气源流量、微波功率以及引入中间层,利用反 射高能电子衍射(RHEED)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射、Raman光谱等分 析手段,对薄膜的微观组织结构进行了观察分析,研究了多晶硅薄膜的微观生长 结构以及不同工艺参数对多晶硅薄膜结构的影响规律。实验结果表明,该方法制 得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长。多晶硅薄膜存在纵向生长的不均匀性, 初始阶段沉积得到非晶孵化层,然后由非晶向多晶转变,得到成柱状生长的多晶 硅薄膜。不同工艺参数对薄膜结晶状态存在一个中间最优值,优化沉积参数对多 晶硅薄膜的晶化至关重要。在未引入中间层条件下,衬