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 PN结的形成及特性 2.2.1 PN结的形成PN结的形成条件两种导电类型的半导体共居于同一块半导体单晶中，在交界面上形成PN结 工艺简介：（1）合金法 2.2.1 PN结的形成 （2）电形成法（3）平面扩散法 （1）两边的浓度差引起载流子的扩散运动（2）复合形成内电场：阻挡扩散，促使漂移（3）扩散和漂移动态平衡：PN结（空间电荷区、耗尽层、势垒区、阻挡层） PN结的形成过程 2.2.1 PN结的形成 因浓度差?空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ?内电场阻止多子扩散 多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。平衡 PN 结中扩散电流和漂移电流大小相等而方向相反，所以外观 PN 结中没有电流。多子的扩散运动 ?由杂质离子形成空间电荷区 ? 2.2.1 PN结的形成 小 结 考虑外加电压于PN结上，根据外加电压的极性有两种情况PN结加正向偏置电压（正偏）：PN结加正向电压时的导电情况2.2.2 PN结的单向导电性外加电压使内电场减小以致 阻挡层变窄 多子形成的扩散电流增加 漂移电流减小从电源正极有流入P 区的正向电流P 区接电源正极，或使 P 区的电位高于N 区 2 PN结加反向偏置电压（反偏）： 2.2.2