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　 场效应管放大电路 场效应管 FET (Field Effect Transistor) 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。引 言场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c； 有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 特点：1. 单极性器件(一种载流子导电)3. 工艺简单、易集成、功耗小、 体积小、成本低2. 输入电阻高 (107 ? 1015 ?，IGFET 可高达 1015 ?)结型 JFET (Junction Field Effect Transistor)绝缘栅型 IGFET(Insulated Gate FET)按结构不同场效应管有两种类型: 1. 结构与符号N 沟道 JFETP 沟道 JFET漏极源极栅极4.1 结型场效应管 uGS ? 0，uDS 0，PN结承受反向电压，耗尽层变宽，导电沟道变窄。沟道楔型VDSVGS当uGS = 0，uDS = 0时，耗尽层很窄，导电沟道很宽。导电沟道中，越接近D边的正电压越大，其PN结承受反向电压越大，