模拟电子技术基础中的常用公式.docxVIP

7.1 半导体器件基础 GS0101 由理论分析可知，二极管的伏安特性可近似用下面的数学表达式来表示： u i = I (e V 1) D R ( sat ) 式中， iD 为流过二极管的电流， uD。为加在二极管两端的电压， VT 称为温度的电压当量， 与热力学温度成正比， 表示为 VT = kT/q 其中 T 为热力学温度， 单位是 K；q 是电子的电荷量， q=1.602×10- 19C；k 为玻耳兹曼常数， k = 1.381 ×10-23 J／K。室温下，可求得 VT = 26mV 。IR(sat)是二极管的反向饱和电流。 D直流电