2017年湖北武汉纺织大学电力电子技术考研真题.docVIP

》》》》》》2023年整理历年要考研试题资料《《《《《《 》》》》》》2023年整理历年要考研试题资料《《《《《《 PAGE / NUMPAGES 》》》》》》2023年整理历年要考研试题资料《《《《《《 2017年湖北武汉纺织大学电力电子技术考研真题 一、单项选择题（每小题2分，共30分） 1、把交流电变成直流电的是（）。 A.逆变电路 B.整流电路 C.斩波电路 D.调功电路 2、IGBT是一个复合型的器件，它是（）。 A.GTR驱动的MOSFET B.MOSFET驱动的GTR C.MOSFET驱动的晶闸管 D.MOSFET驱动的GTO 3、普通二极管和快速（快恢复）二极管在开关频率上的不同，主要是体现在哪 个参数上的差异（）。 A.开通时间 B.反向恢复时间 C.关断时间 D.反向电流延迟时间 4、晶闸管被触发从断态转入通态就除去触发信号，能维持通态所需要的最小阳 极电流称为（）。 A.通态平均电流 B.浪涌电流 C.维持电流 D.擎住电流 5、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）。 A.减小至维持电流以下 B.减小至擎住电流以下 C.减小至门极触发电流以下 D.减小至5A以下 6、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）。 A.30°～150 B.0°～120° C.15°～125° D.0°～150° 7、三相半波可控整流电路中，晶闸管可能承