半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-10-18 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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一种用于制造半导体器件的方法包括：在牺牲焊盘之上形成堆叠体；形成牺牲竖向结构，该牺牲竖向结构穿过堆叠体以耦接至牺牲焊盘；对堆叠体进行刻蚀，以形成与牺牲竖向结构间隔开的竖向开口；通过将牺牲焊盘去除来形成牺牲凹陷部，该牺牲凹陷部使牺牲竖向结构的底部暴露；形成刻蚀阻挡内衬层，该刻蚀阻挡内衬层围绕牺牲竖向结构的底部；以及将牺牲竖向结构选择性地去除。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116896871 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202310255337.6 (22)申请日 2023.03.10 (30)优先权数据 10-2022-0040443