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本发明公开了一种基于反相器的双节点翻转加固的SRAM单元，包括单循环存储模块和六个传输管；单循环存储模块由六个二输入反相器组成，包括第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、第五反相器INV5、第六反相器INV6；六个传输管包括第一传输管N7、第二传输管N8、第三传输管N9、第四传输管N10、第五传输管N11、第六传输管N12；第一传输管N7、第二传输管N8、第三传输管N9、第四传输管N10、第五传输管N11、第六传输管N12的栅极均作为SRAM单元读写数据
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116895316 A
(43)申请公布日 2023.10.17
(21)申请号 202310932872.0
(22)申请日 2023.07.27
(71)申请人 安徽大学
地址 230601
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