一种半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-10-18 发布于北京
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一种半导体器件及其制造方法.pdf

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一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和位于所述有源区之间的隔离区；在所述半导体衬底上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层具有对应于所述隔离区的窗口；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底的所述隔离区中形成深沟槽隔离结构；对所述深沟槽隔离结构的底部进行横向扩展。本发明实施例的半导体器件及其制造方法将深沟槽隔离结构的底部进行横向扩展，能够提高深沟槽隔离结构的隔离长度，提高隔离效果，并降低工艺难度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116895600 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202311009356.7 (22)申请日 2023.08.10 (71)申请人荣芯半导体（淮安）有限公司地址