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一种提升电容的7mask半导体阵列基板制造方法，包括：玻璃基板上沉积buffer层，并共用公共电极层的Mask，搭配负型光阻图案化；沉积第一透明电极层、第一金属层、第一绝缘层、有源层，并进行图案化；对面内、面外的绝缘层进行开孔，像素电极与源漏极搭接孔、像素电极桥接面外第二金属走线孔；沉积并图案化第二金属层；沉积第二绝缘层；对面内绝缘层进行开孔，为公共电极与面内触控层搭接孔；图案化公共电极层。本发明将9Mask阵列基板减少两道Mask至7Mask，变更像素电极、第一金属层和第二金属层的成膜顺序，玻
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116895664 A
(43)申请公布日 2023.10.17
(21)申请号 202310666270.5
(22)申请日 2023.06.07
(71)申请人 华映科技（集团）股份有限公司
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