垂直非易失性存储器装置.pdfVIP

下载本文档

0
0
约3.16万字
约 41页
2023-10-18 发布于四川
举报
版权申诉

垂直非易失性存储器装置.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

公开了一种垂直非易失性存储器装置，所述垂直非易失性存储器装置包括：基底，包括单元阵列区和接触区；第一堆叠结构和第二堆叠结构，在基底上沿第一方向彼此间隔开，第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每个包括顺序地堆叠在基底上的第一导电线、第二导电线和第三导电线；第一阵列线，位于基底的接触区上，并将第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每个的第一导电线和第二导电线电连接；以及第二阵列线，位于基底的接触区上，并将第一堆叠结构的第三导电线电连接到第二堆叠结构的第三导电线。第一阵列线和第二阵列线位于距基底的顶表面同一高度处。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108933139 A (43)申请公布日 2018.12.04 (21)申请号 20171