包括存储器单元串的存储器阵列和其形成方法.pdfVIP

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2023-10-18 发布于四川
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包括存储器单元串的存储器阵列和其形成方法.pdf

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本案实施例涉及包括存储器单元串的存储器阵列和其形成方法。包括存储器单元串的存储器阵列包括在导体层面的导体材料正上方且个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。沟道材料串构造穿过绝缘层面和导电层面延伸到导电层面的最下部。沟道材料串构造个别地包括电荷阻挡材料串、从电荷阻挡材料串横向向内的存储材料串、从存储材料串横向向内的电荷传递材料串，及从电荷传递材料串横向向内的沟道材料串。处于最下部导电层面中的导电材料将个别沟道材料串的沟道材料与导体层面的导体材料直接电耦合在

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116896894 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202310246273.3 (22)申请日 2023.03.14 (30)优先权数据 17/713,955 2022