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本公开提供一种外延生长装置及其加热组件，该加热组件用于加热所述外延生长装置内的硅片；所述加热组件包括至少一组加热灯组、及用于反射所述加热灯组的热辐射的至少一组反射板；所述反射板包括第一反射区和第二反射区，所述第一反射区被配置为将热辐射反射至沿着所述硅片的径向方向上的预定区域，所述第二反射区被配置为将热辐射反射至所述硅片中除所述预定区域之外的其他区域，所述第一反射区的反射率大于所述第二反射区的反射率。本公开实施例提供的外延生长装置及其加热组件，能够提高外延片电阻率均匀性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116892057 A
(43)申请公布日 2023.10.17
(21)申请号 202310951497.4
(22)申请日 2023.07.31
(71)申请人 西安奕斯伟材料科
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