热冲击对Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED性能的影响的中期报告.docxVIP

热冲击对Si基板InGaNGaN多量子阱蓝光LED性能的影响的中期报告 本中期报告主要探讨了热冲击对Si基板上InGaN/GaN多量子阱蓝光LED性能的影响。 首先，我们制备了InGaN/GaN多量子阱蓝光LED结构并在Si基板上生长。然后，在热冲击测试装置中对LED结构进行了热冲击测试，以模拟实际应用中可能出现的温度波动和热冲击情况。 通过测试，我们发现在热冲击的条件下，LED的光输出强度开始出现下降，但是在一定时间内恢复了一部分。此外，我们还发现在热冲击后，在高电流注入下，LED结构的光输出强度恢复性更好。 进一步分析表明，热冲击对LED的性能影响主要来自于量子阱中的电子和空穴的扩散，导致电子和空穴的重新结合减少，从而降低了光输出强度。但是，由于在热冲击后，器件结构的电子和空穴分布更加均匀，因此在高电流注入下，LED结构的光输出强度恢复性更好。 综上所述，热冲击对Si基板上InGaN/GaN多量子阱蓝光LED结构的性能有一定影响，但是在一定时间内还能够恢复一部分。此外，在高电流注入下，LED结构的光输出强度恢复性更好。