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- 2023-10-21 发布于四川
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本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。GaN基发光二极管外延片包括衬底和依次生长于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、第一插入层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，所述第一插入层包括依次生长于所述N‑GaN层上的第一AlN层、第一WS2层和第一InAlGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、抗静电能力和波长均匀性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116914042 A
(43)申请公布日 2023.10.20
(21)申请号 202310864978.1 H01L 33/26 (2010.01)
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