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一种改善抗蚀剂层光刻形貌的方法.pdfVIP

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  • 2023-10-21 发布于四川
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一种改善抗蚀剂层光刻形貌的方法.pdf

    本申请提供一种改善抗蚀剂层光刻形貌的方法，涉及半导体技术领域。所述改善抗蚀剂层光刻形貌的方法，在CVD制程中实现以下步骤，包括：S1：通入惰性气体对待成膜表面进行吹扫；S2：通入SiH4气体，待SiH4气体流量稳定后，通入NH3气体，并开启成膜开关；S3：待膜厚达到目标膜厚的预设比例之后，停止通入NH3气体，通入氧化性气体；S4：膜厚达到目标膜厚之后，先停止通入SiH4气体，再关闭成膜开关以及停止通入氧化性气体，改善了PR底部footing严重现象，优化了PRphoto后形貌，仅需改动SiN

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116913760 A (43)申请公布日 2023.10.20 (21)申请号 202310860993.9 (22)申请日 2023.07.13 (71)申请人 上海

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