1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体器件及其形成方法.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约1.39万字
  • 约 10页
  • 2023-10-21 发布于四川
  • 举报

半导体器件及其形成方法.pdf

    本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有鳍部，鳍部上方形成有栅极结构；对栅极结构两侧的鳍部进行第一离子注入，以形成浅掺杂区；形成覆盖浅掺杂区的介质层；和对介质层和鳍部进行第一退火处理。形成覆盖浅掺杂区的介质层，并经过退火处理，减缓了浅掺杂区内部离子的浓度梯度，减小沟道电阻。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110364436 A (43)申请公布日 2019.10.22 (21)申请号 20181

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >