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本发明公开了一种低光谱响应线性相关系数的多层带隙结构光谱探测器。解决现有光谱探测器存在不同偏置电压下探测器光谱响应曲线的线性相关Pearson系数较高的问题。该器件包括金属电极和多层能量带隙结构半导体材料吸收层，其中半导体材料吸收层能量带隙覆盖紫外到近红外范围。在p‑i‑n半导体结中设置若干不同能量带隙的半导体层，通过这些不同能量带隙半导体层调节不同波长入射光的吸收区域，并利用偏置电压控制不同区域光生载流子的传输和复合，进而改变探测器的光谱响应特性。本发明构筑的多层带隙结构的p‑i‑n结光谱探测
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116916664 A
(43)申请公布日 2023.10.20
(21)申请号 202310998009.5 H01L 31/0328 (2006.01)
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