原创力文档- 8
- 0
- 约1.35万字
- 约 14页
- 2023-10-21 发布于四川
- 举报
本实用新型公开了一种半导体元件，包括选择性地移除与第一互连结构同时形成在第一介质层中的第一对准结构，显露出定义在第一介质层中的第一对准沟槽。接着，于第一介质层上形成一导电层，其中导电层填入第一对准沟槽的部分形成第二对准结构，然后用第二对准结构作为对准标记进行微影暨蚀刻工艺，将导电层图案化成第二互连结构。本实用新型的半导体元件可在第一互连结构和第二互连结构之间获得较佳的对准精确度。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219873523 U
(45)授权公告日 2023.10.20
(21)申请号 202320491042.4
(22)申请日 2023.03.15
(73)专利权人 福建省晋华集成电路有限公司
地址
文档评论（0）