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MEMS器件及其形成方法和形成叉指式电容电极结构的方法.pdfVIP

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  • 2023-10-21 发布于四川
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MEMS器件及其形成方法和形成叉指式电容电极结构的方法.pdf

    本公开提供了在微电子机械系统(MEMS)器件的叉指式电容器中形成偏移。一种用于形成MEMS器件的方法可以包括：执行悬空硅工艺以在单晶硅衬底中在相对于单晶硅衬底的顶面第一深度处形成腔体；在单晶硅衬底的导电电极区域中形成电绝缘区域，电绝缘区域相对于单晶硅衬底的顶面延伸到小于第一深度的第二深度；以及蚀刻单晶硅衬底以暴露第一电极与第二电极之间的间隙，其中第二电极在第一深度区域内与第一电极分开由电绝缘区域和间隙限定的第一距离，并且其中第二电极在第二深度区域内与第一电极分开由间隙限定的第二距离。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109319729 A (43)申请公布日 2019.02.12 (21)申请号 20181

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