ZnSe晶体表面纳米结构THz辐射的研究的中期报告.docxVIP

ZnSe晶体表面纳米结构THz辐射的研究的中期报告 目前，我们团队正在开展关于ZnSe晶体表面纳米结构对THz辐射的研究。本期报告主要介绍我们在研究过程中的进展和结果。 实验材料和方法： 我们采用分子束外延法（MBE）在ZnSe衬底上生长ZnSe薄膜，通过热氧化处理形成表面氧化层。在表面氧化层上生长纳米结构，并利用光学显微镜、扫描电子显微镜等手段对样品进行表征和分析。利用太赫兹时域光谱技术对样品的THz辐射特性进行测量和分析。 研究结果： 在实验过程中，我们发现ZnSe晶体表面纳米结构可以显著影响THz辐射强度和频谱。通过对比不同表面纳米结构的样品，我们发现：基于球形结构的样品辐射强度最高，且辐射频率范围最宽；基于锥形结构的样品辐射强度次之，辐射频率范围也较为宽泛；而基于柱形结构的样品辐射强度最弱，且仅在较窄频率范围内产生辐射。 此外，我们还观察到表面氧化层厚度对THz辐射特性的影响。当表面氧化层较薄时，样品的THz辐射强度相对较高；但当表面氧化层较厚时，样品的THz辐射强度会降低。 至此，我们已初步探究了ZnSe晶体表面纳米结构和表面氧化层厚度对THz辐射特性的影响，并得出初步结论。目前，我们正进一步深入研究其机理和物理性质，并争取更多的实验结果和数据来支持我们的结论。