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一种应用于器件隔离的掩膜工艺及器件隔离方法，涉及半导体技术领域。该应用于器件隔离的掩膜工艺包括：在外延结构上涂覆第一光刻胶层；在第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层，第一光刻胶层和第二光刻胶层的材料不同；采用掩模板对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光处理，以形成曝光区；通过显影液对位于曝光区的第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影处理，以在第一光刻胶层上形成第一窗口，在第二光刻胶层上形成第二窗口，第二窗口在外延结构上的正投影位于第一窗口内。该应用于器件隔离的掩膜工艺能够在离子注入后便于去除光刻胶层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116913765 A
(43)申请公布日 2023.10.20
(21)申请号 202311047792.3
(22)申请日 2023.08.18
(71)申请人 湖南三安半导体有
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