原创力文档- 3
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- 2023-10-21 发布于四川
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实施方式提供一种能够抑制材料膜的剥离朝器件区域进展的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备衬底，所述衬底具有设置有半导体元件的第1区域以及从第1区域设置到端部的第2区域。材料膜设置在第1及第2区域的上方。第1金属膜设置在第2区域的材料膜上或第1区域与第2区域之间的材料膜上。从第1区域中的材料膜的表面及第1金属膜之下的材料膜的表面朝向衬底凹陷的槽部设置在第1金属膜与第1区域之间的材料膜中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110931544 A
(43)申请公布日
2020.03.27
(21)申请号 20191
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