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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-10-21 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括图形密集区和图形稀疏区；在所述基底上形成多个分立的硬掩膜层，相邻所述硬掩膜层与所述基底围成开口，且所述图形稀疏区开口的宽度大于所述图形密集区开口的宽度；形成至少位于所述图形稀疏区的开口侧壁上的修整层，所述修整层与所述硬掩膜层构成掩膜结构层；以所述掩膜结构层为掩膜，刻蚀所述开口露出的部分厚度所述基底，形成凸出于剩余所述基底的多个目标图形层。本发明实施例有利于提高各区域的目标图形层的关键尺寸均一性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111627808 A (43)申请公布日 2020.09.04 (21)申请号 20191

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