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- 2023-10-21 发布于四川
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本申请涉及一种半导体存储器及其制造方法。实施方式的半导体存储器包含第1区域及第2区域、分别包含第1及第2区域各自的一部分的活动区域及非活动区域、第1及第2层叠体、第1支柱、以及第1及第2接点。第1层叠体在活动区域包含交替层叠的第1绝缘体及第1导电体。第1支柱在第1区域内包含第1层叠体。第1接点在第2区域内设置于第1配线层内的第1导电体上。第2层叠体在非活动区域包含交替层叠的第2绝缘体及第2导电体。第2接点在第2区域内分别与第1配线层内的第2导电体、及不同于第1配线层的第2配线层内的第2导电体相接
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110751967 A
(43)申请公布日
2020.02.04
(21)申请号 20191
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